此前傳出三星GALAXY S7已經開始測試的消息,并且有望再次重啟雙處理器平臺策略,至于其他可能裝載的新技術則沒有更多的消息。而現在,根據網友@i冰宇宙在微博上披露的消息稱,UFS2.1將在今年下半年量產,預計三星GALAXY S7將會首先搭載這項新技術,并且明年的三星智能手機將全面引入Type-C以及USB PD標準,這意味著未來的GALAXY S7將擁有更快的充電速度。
支持UFS2.1標準
按照網友@i冰宇宙在微博上的說法,2016年UFS2.0和emmc 5.1將在旗艦機型中得到普及,但三星GALAXY S7在閃存技術方面應該依然會快人一步。由于UFS2.1標準的閃存將在今年下半年量產,因此預計將會首先使用到三星GALAXY S7上。
不過,目前還沒有UFS2.1標準閃存技術的更多信息被曝光,但相信應該比現在應用到三星GALAXY S6等機型的UFS2.0標準的閃存技術擁有更快的速度和更低的功耗,而這也意味著未來的GALAXY S7將會帶來更出色的性能表現和更快的手機讀取速度。