三星測(cè)試10納米Exynos 8895芯片 時(shí)鐘頻率高達(dá)4GHz
據(jù)Android Authority網(wǎng)站報(bào)道，有媒體刊文稱(chēng)三星在測(cè)試新款Exynos 8895芯片，它集成有4個(gè)時(shí)鐘頻率達(dá)4GHz的高性能內(nèi)核。傳言稱(chēng)，Exynos 8895芯片(名字并未經(jīng)過(guò)證實(shí))還集成有4個(gè)時(shí)鐘頻率為2.7GHz、性能較低的Cortex-A53內(nèi)核。Exynos 8895將用于明年的Galaxy S8，采用10納米工藝制造。
值得指出的是，在市場(chǎng)上公開(kāi)銷(xiāo)售的Exynos 8895時(shí)鐘頻率將遠(yuǎn)低于4GHz。降低時(shí)鐘頻率的原因是避免過(guò)熱，Exynos 8890在測(cè)試時(shí)時(shí)鐘頻率高達(dá)3GHz，但被應(yīng)用在Galaxy S7 Edge和Galaxy Note 7中時(shí)被下調(diào)至2.3GHz。Android Authority預(yù)計(jì)Exynos 8895性能將比三星當(dāng)前14納米工藝芯片高出三分之一。
Android Authority表示，據(jù)悉，Exynos 8895時(shí)鐘頻率為4GHz時(shí)的能耗與3.6GHz的驍龍830(也采用了10納米工藝)相當(dāng)。鑒于高通高時(shí)鐘頻率芯片遇到的發(fā)熱問(wèn)題，三星新款芯片在發(fā)熱方面的表現(xiàn)我們尚需拭目以待。
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